dc.contributor.author | Чобаль, А. | |
dc.contributor.author | Ризак, И. | |
dc.contributor.author | Чугай, О. | |
dc.contributor.author | Ризак, В. | |
dc.date.accessioned | 2023-03-21T11:13:26Z | |
dc.date.available | 2023-03-21T11:13:26Z | |
dc.date.issued | 2009 | |
dc.identifier.citation | Ab initio моделирование локальной решеточной неустойчивости сегнетоэлектриков Sn2P2S6 / А. Чобаль, И. Ризак, О. Чугай, В. Ризак // Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии : сб. науч. тр. – Харьков, 2009. – Вып. 44. – С. 206–211. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 2071-1077 | |
dc.identifier.uri | http://dspace.library.khai.edu/xmlui/handle/123456789/4562 | |
dc.description.abstract | В рамках неэмпирического метода MO LCAO Хартри – Фока – Рутаана выполнены
кластерные расчеты формы локального адиабатического потенциала и локальных
силовых постоянных для сегнетоактивного атома олова в решетке кристалла Sn2P2S6.
Результаты расчетов показывают, что ионы Sn2+ движутся в одноямных потенциалах, что
позволяет идентифицировать сегнетоэлектрические фазовые переходы в кристаллах
Sn2P2S6 как фазовые переходы типа смещения. | uk_UA |
dc.description.abstract | В межах неемпіричного методу MO LCAO Сартрі – Фока – Рутаана виконано
кластерні розрахунки форми локального адіабатичногопотенціалу та локальних
силових сталих для сегнетоактивного атома олова в решітці кристалу Sn2P2S6.
Результати розрахунків показують, що іони Sn2+ рухаються в одноямних
потенціалах, що дозволяє ідентифікувати сегнетоелектричні фазові переходи в
кристалах Sn2P2S6 як фазові переходи типу зміщення. | uk_UA |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | ХАИ | uk_UA |
dc.subject | халькогенид | uk_UA |
dc.subject | сегнетоэлектрик | uk_UA |
dc.subject | теплоемкость кристалла | uk_UA |
dc.subject | кластерный метод | uk_UA |
dc.subject | фазовый переход | uk_UA |
dc.subject | халькогенід | uk_UA |
dc.subject | сегнетоелектрик | uk_UA |
dc.subject | теплоємність кристалу | uk_UA |
dc.subject | кластерний метод | uk_UA |
dc.subject | фазовий перехід | uk_UA |
dc.title | Ab initio моделирование локальной решеточной неустойчивости сегнетоэлектриков Sn2P2S6 | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |