Показати скорочений опис матеріалу
Вычисление плотности фононных состояний кристаллов Sn2P2S(Se)6 с температурной зависимостью теплоемкости с помощью параллельной MPI-программы
| dc.contributor.author | Сабадош, В. | |
| dc.contributor.author | Ризак, И. | |
| dc.contributor.author | Чугай, О. | |
| dc.contributor.author | Ризак, В. | |
| dc.date.accessioned | 2023-03-21T11:18:06Z | |
| dc.date.available | 2023-03-21T11:18:06Z | |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.identifier.citation | Вычисление плотности фононных состояний кристаллов Sn2P2S(Se)6 с температурной зависимостью теплоемкости с помощью параллельной MPI-программы / В. Сабадош, И. Ризак, О. Чугай, В. Ризак // Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии : сб. науч. тр. – Харьков, 2009. – Вып. 44. – С. 212–218. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 2071-1077 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.library.khai.edu/xmlui/handle/123456789/4563 | |
| dc.description.abstract | С помощью разработанной MPI-программы, которая базируется на использовании метода регуляризации, рассчитана плотность фононных состояний для кристаллов Sn2P2S6 и Sn2P2Se6 с температурной зависимости теплоемкости. Найденные плотности фононных состояний кристаллов Sn2P2S6 и Sn2P2Se6 находятся в хорошем согласовании с результатами исследования методом неупругого некогерентного рассеянии нейтронов. | uk_UA |
| dc.description.abstract | За допомогою рохробленої MPI-програми, яка базується на використанні методу регуляризації, розраховано щільність фононних станів для кристалів Sn2P2S6 та Sn2P2Se6 з температурної залежності теплоємності. Знайдені щільності фононних станів кристалів Sn2P2S6 та Sn2P2Se6 знаходяться в хорошому узгодженні з результатами дослідження методом непружного некогерентного розсіяння нейтронів. | uk_UA |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | ХАИ | uk_UA |
| dc.subject | халькогенид | uk_UA |
| dc.subject | сегнетоэлектрик | uk_UA |
| dc.subject | теплоемкость кристалла | uk_UA |
| dc.subject | кластерный метод | uk_UA |
| dc.subject | фазовый переход | uk_UA |
| dc.subject | халькогенід | uk_UA |
| dc.subject | сегнетоелектрик | uk_UA |
| dc.subject | теплоємність кристалу | uk_UA |
| dc.subject | кластерний метод | uk_UA |
| dc.subject | фазовий перехід | uk_UA |
| dc.title | Вычисление плотности фононных состояний кристаллов Sn2P2S(Se)6 с температурной зависимостью теплоемкости с помощью параллельной MPI-программы | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |