Prospects for the use of wide-bandgap AII BVI crystals in physical value sensors for aerospace technology

Abstract

Crystalline semiconductor sensors have been widely used to address various challenges in the measurement of physical quantities, with crystalline silicon (Si) frequently selected as the sensitive material in sensor assemblies. This choice is largely driven by the mature silicon production technologies and the extensive understanding of its physical properties. However, the relatively narrow band gap of silicon (~1 eV) results in limited thermal stability in its electrical and photoelectric properties, restricting the use of Si-based sensors in high-temperature environments, such as aerospace applications.

Кристалічні напівпровідникові датчики широко використовуються для вирішення різноманітних проблем у вимірюванні фізичних величин, причому кристалічний кремній (Si) часто вибирається як чутливий матеріал у сенсорних вузлах. Цей вибір значною мірою обумовлений розвиненими технологіями виробництва кремнію та глибоким розумінням його фізичних властивостей. Однак відносно вузька заборонена зона кремнію (~1 еВ) призводить до обмеженої термічної стабільності його електричних і фотоелектричних властивостей, що обмежує використання сенсорів на основі Si у високотемпературних середовищах, таких як аерокосмічні програми.