Расчетный способ определения эффективной теплопроводности металлопористых эммитеров катодов ЭРД

Abstract

В работе представлен способ численного расчета эффективной теплопроводности металлопористых эмиссионных материалов на примере вольфрам-гафнат-бариевого эмиттера (W-BaHfO3). Расчет теплопроводности осуществлялся с использованием конечно-элементного моделирования в ANSYS 11. Описан способ создания геометрической модели КЭМ по фотографиям эмиттера методом их оцифровки. По рассчитанному в ANSYS тепловому потоку и заданным температурам границ была рассчитана эффективная теплопроводность исследуемого эмиттера в диапазоне температур 300…2000 К. Обнаружено увеличение эффективной теплопроводности эмиттера при температурах выше 700 К.

У роботі представлений спосіб чисельного розрахунку ефективної теплопровідності металопористих емісійних матеріалів на прикладі вольфрам-гафнат-барієвого емітера (W-BaHfO3). Розрахунок теплопровідності здійснювався з використанням кінцево-елементного моделювання в ANSYS 11. Описано спосіб створення геометричної моделі КЕМ за фотографіями емітера методом їх оцифрування. По розрахованому в ANSYS тепловому потоку та заданим температурам кордонів було розраховано ефективну теплопровідність досліджуваного емітера в діапазоні температур 300...2000 К. Виявлено збільшення ефективної теплопровідності емітера при температурах вище 700 К.