Локальная неустойчивость диэлектрического отклика кристаллов CdZnTe

Abstract

Показано, что диаграммы, построенные на основе спектральных зависимостей реальной и мнимой частей комплексной диэлектрической проницаемости, раскрывают характер эволюции взаимосвязей разномасштабных структурных неоднородностей сенсорных материалов при внешних воздействиях. Предложено использовать совокупности таких диаграмм для контроля обратимых и необратимых изменений функциональных характеристик сенсоров, возникающих в процессе их эксплуатации.

Показано, що діаграми, побудовані на основі спектральних залежностей реальної і уявної частин комплексної діелектричної проникності, розкривають характер еволюції взаємозв’язків різномасштабних структурних неоднорідностей сенсорних матеріалів при зовнішніх впливах. Запропоновано використовувати сукупності таких діаграм для контролю оборотних і необоротних змін функціональних характеристик сенсорів, які виникають у процесі їхньої експлуатації.