Вычисление плотности фононных состояний кристаллов Sn2P2S(Se)6 с температурной зависимостью теплоемкости с помощью параллельной MPI-программы

Abstract

С помощью разработанной MPI-программы, которая базируется на использовании метода регуляризации, рассчитана плотность фононных состояний для кристаллов Sn2P2S6 и Sn2P2Se6 с температурной зависимости теплоемкости. Найденные плотности фононных состояний кристаллов Sn2P2S6 и Sn2P2Se6 находятся в хорошем согласовании с результатами исследования методом неупругого некогерентного рассеянии нейтронов.

За допомогою рохробленої MPI-програми, яка базується на використанні методу регуляризації, розраховано щільність фононних станів для кристалів Sn2P2S6 та Sn2P2Se6 з температурної залежності теплоємності. Знайдені щільності фононних станів кристалів Sn2P2S6 та Sn2P2Se6 знаходяться в хорошому узгодженні з результатами дослідження методом непружного некогерентного розсіяння нейтронів.