Изменение структуры катодных материалов на основе BaHfO3-W при импульсном токоотборе

Abstract

Представлены результаты рентгенодифрактометрических и электронно-микроскопических исследований состава и структуры поверхности и приповерхностных слоев высокотемпературных композиционных катодных материалов на основе гафната бария с вольфрамом с различным процентным содержанием компонент. Исходная структура этих эмиттеров представляет собой в основном зерна вольфрама и гафнат бария с небольшим количеством оксида бария. В процессе активирования на поверхности катода образуется пористый слой гафния. Площадь пор составляет 10…15 % от общей эмитирующей поверхности. Под верхним слоем находится промежуточный слой твердых растворов бария, гафния, вольфрама и их химических соединений (с нарушенной стехиометрией). Высокая эмиссионная активность этих материалов обусловлена адсорбцией бария на гафнии. Барий при этом диффундирует через развитую систему пор.

Наведено результати рентгенодифрактометричних та електронно-мікроскопічних досліджень складу і структури поверхні та приповерхневих шарів високотемпературних композиційних катодних матеріалів на основі гафнату барію з вольфрамом з різним процентним вмістом компонент. Вихідна структура цих емітерів являє собою в основному зерна вольфраму та гафнату барію з невеликою кількістю оксиду барію. В процесі активування на поверхні катоду утворюється пористий шар гафнію. Площа пор складає 10…15 % від загальної емітуючої поверхні. Під верхнім шаром знаходиться проміжний шар твердих розчинів барію, гафнію, вольфраму та їх хімічних сполук (з порушеною стехіометрією). Висока емісійна активність цих матеріалів зумовлена адсорбцією барію на гафнії. Барій при цьому дифундує через розвинуту систему пор.