• українська
    • English
    • Deutsch
Institutional Digital Repository of National Aerospace University KHAI
  • Deutsch 
    • українська
    • English
    • Deutsch
  • Einloggen
Dokumentanzeige 
  •   DSpace Startseite
  • Факультет радіоелектроніки, комп’ютерних систем та інфокомунікацій (№ 5)
  • Наукові праці
  • Статті з наукових журналів та збірок
  • Dokumentanzeige
  •   DSpace Startseite
  • Факультет радіоелектроніки, комп’ютерних систем та інфокомунікацій (№ 5)
  • Наукові праці
  • Статті з наукових журналів та збірок
  • Dokumentanzeige
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Исследования композиционного материала на основе Ba0,5Sr0,5HfO3 с вольфрамом. Ч. 2. Структура и состав поверхности

Thumbnail
Öffnen
Kyslytsyn.pdf (6.574Mb)
Datum
2014
Autor
Кислицын, А.П.
Таран, А.А.
Комозынский, П.А.
Орданьян, С.С.
Абашин, С.Л.
Metadata
Zur Langanzeige
Zusammenfassung
Представлены результаты электронно-микроскопических исследований состава и структуры поверхности и приповерхностных слоев высокотемпературных композиционных катодных материалов на основе гафната бария-стронция с вольфрамом с различным процентным содержанием компонент. Исходная структура этих эмиттеров представляет собой в основном зерна вольфрама и гафната бария-стронция. В процессе активирования на поверхности катодов образуется пористый слой гафния и оксида гафния. Высокая эмиссионная активность этих материалов обусловлена адсорбцией бария и стронция на гафнии (оксиде гафния) вследствие диффузии бария и стронция через развитую систему пор.
 
Представлені результати електронно-мікроскопічних досліджень складу та структури поверхні та приповерхневих шарів високотемпературних композиційних катодних матеріалів на основі гафнату барію-стронцію з вольфрамом з різним відсотковим вмістом компонентів. Вихідна структура цих емітерів є переважно зерна вольфраму і гафнату барію-стронцію. У процесі активування на поверхні катодів утворюється пористий шар гафнію та оксиду гафнію. Висока емісійна активність цих матеріалів обумовлена ​​адсорбцією барію та стронцію на гафнії (оксиді гафнію) внаслідок дифузії барію та стронцію через розвинену систему пір.
 
URI
http://dspace.library.khai.edu/xmlui/handle/123456789/2292
Collections
  • Статті з наукових журналів та збірок

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Kontakt | Feedback abschicken
Theme by 
Atmire NV
 

 

Stöbern

Gesamter BestandBereiche & SammlungenErscheinungsdatumAutorenTitelnSchlagwortenDiese SammlungErscheinungsdatumAutorenTitelnSchlagworten

Mein Benutzerkonto

EinloggenRegistrieren

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Kontakt | Feedback abschicken
Theme by 
Atmire NV