Влияние шунтирования высокотемпературных тензорезисторов на точность измерения статических деформаций элементов ГТД
Abstract
Представлена электрическая модель распределения потенциалов в тензометрическом датчике. Для определения величины токов шунтирования было применено правило Кирхгофа к линейной электрической цепи, и записаны конечно–разностные дифференциальные уравнения для суммы токов во всех узлах электрической модели. Конечно–разностные дифференциальные уравнения преобразованы в матричное, решение которого позволяет получить токи утечки во всех узлах электрической модели тензометра. Получены суммарные токи утечки в нижнем и верхнем ЧЭ тензометра для различных случаев, а также. относительные погрешности измерения деформации, обусловленные шунтированием. Подано електричну модель розподілу потенціалів у тензометричному датчику. Для визначення величини струмів шунтування було застосовано правило Кірхгофа до лінійного електричного ланцюга, і записані кінцево-різницеві диференціальні рівняння для суми струмів у всіх вузлах електричної моделі. Звичайно-різнисні диференціальні рівняння перетворені на матричне, рішення якого дозволяє отримати струми витоку у всіх вузлах електричної моделі тензометра. Отримані сумарні струми витоку в нижньому та верхньому ЧЕ тензометра для різних випадків, а також. відносні похибки виміру деформації, зумовлені шунтуванням. An electrical model of potential distribution in a strain gauge is presented. To determine the magnitude of the shunt currents, Kirchhoff's rule was applied to a linear electrical circuit, and finite-difference differential equations were written for the sum of currents in all nodes of the electrical model. Ordinary differential equations are transformed into matrix equations, the solution of which allows obtaining the leakage currents in all nodes of the electrical model of the strain gauge. Total leakage currents in the lower and upper CE of the strain gauge for different cases are obtained, as well as. relative errors of deformation measurement caused by shunting.