Показать сокращенную информацию
Определение функциональной пригодности кристаллов CdZnTe для применения в радиоэлектронной аппаратуре на основе метода сканирующей фотодиэлектрической спектроскопии
| dc.contributor.author | Роззувайло, Т.Н. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-19T08:18:54Z | |
| dc.date.available | 2023-01-19T08:18:54Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.identifier.citation | Роззувайло, Т. Н. Определение функциональной пригодности кристаллов CdZnTe для применения в радиоэлектронной аппаратуре на основе метода сканирующей фотодиэлектрической спектроскопии / Т. Н. Роззувайло // Радіоелектронні і комп'ютерні системи. – 2012. – № 4. – С. 58–62. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1814-4225 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.library.khai.edu/xmlui/handle/123456789/3830 | |
| dc.description.abstract | Предложен новый метод определения функциональной пригодности кристаллов CdZnTe для применения в радиоэлектронной аппаратуре на основе метода сканирующей фотодиэлектрической спектроскопии. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Запропоновано новий метод визначення функціональної придатності кристалів CdZnTe для застосування в радіоелектронній апаратурі на основі методу фотодіелектричної спектроскопії, що сканує. | uk_UA |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | ХАІ | uk_UA |
| dc.subject | радиоэлектронные и компьютерные системы | uk_UA |
| dc.subject | полупроводниковый кристалл | uk_UA |
| dc.subject | дефект | uk_UA |
| dc.subject | сканирующая фотодиэлектрическая спектроскопия | uk_UA |
| dc.subject | радіоелектронні і комп'ютерні системи | uk_UA |
| dc.subject | напівпровідниковий кристал | uk_UA |
| dc.subject | скануюча фотодіелектрична спектроскопія | uk_UA |
| dc.title | Определение функциональной пригодности кристаллов CdZnTe для применения в радиоэлектронной аппаратуре на основе метода сканирующей фотодиэлектрической спектроскопии | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |