dc.contributor.author | Гусев, Ю.А. | |
dc.contributor.author | Кононыхин, Е.А. | |
dc.contributor.author | Камбиз, Кахраи | |
dc.date.accessioned | 2022-10-07T07:41:02Z | |
dc.date.available | 2022-10-07T07:41:02Z | |
dc.date.issued | 2013 | |
dc.identifier.citation | Гусев, Ю. А. Тензорезисторы с антишунтирующим экраном / Ю. А. Гусев, Е. А. Кононыхин, Кахраи Камбиз // Авиационно-космическая техника и технология. – Харьков : ХАИ, 2013. – № 7(104). – С. 107–111. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1727-7337 | |
dc.identifier.uri | http://dspace.library.khai.edu/xmlui/handle/123456789/2210 | |
dc.description.abstract | Уменьшение электроизоляционных свойств связующего тензорезистора регистрирующей аппаратурой воспринимается как кажущаяся деформация. Для уменьшения токов утечки в слое связующего
между ЧЭ тензорезистора и поверхностью детали вводится экран, совпадающий по конфигурации с
ЧЭ тензорезистора. Рассмотрены конструктивные особенности тензорезисторов с антишунтирующим экраном; схемы их включения в измерительные цепи; проведен анализ процесса шунтирования
ЧЭ тензорезистора, с использованием аналитического метода; представлены формулы изменения сопротивления ЧЭ при его шунтировании, а также конечно-элементная модель (МКЭ) тензорезистора
при различных значениях электросопротивления связующего; получены поля распределения токов
утечки. Представлены результаты экспериментальной проверки явления шунтирования высокотемпературного тензорезистора и их соответствие с теоретическими исследованиями. | uk_UA |
dc.description.abstract | Зменшення електроізоляційних властивостей зв'язуючого матеріалу тензорезистора реєструючою апаратурою сприймається як уявна деформація. Для зменшення струмів витоку в шарі сполучного матеріалу
між ЧЕ тензорезистора і поверхнею деталі вводиться екран, що співпадає по конфігурації з ЧЕ тензорезистора. Розглянуто конструктивні особливості тензорезисторів з антішунтуючим екраном; схеми їх включення
в вимірювальні ланцюги; проведено аналіз процесу шунтування ЧЕ тензорезистора, з використанням аналітичного методу; представлені формули зміни опору ЧЕ при його шунтуванні, а також кінцево-елементна
модель (МСЕ) тензорезистора при різних значеннях електроопору зв'язуючого; отримані поля розподілу
струмів витоку. Представлені результати експериментальної перевірки явища шунтування високотемпературного тензорезистора та їх відповідність з теоретичними дослідженнями. | uk_UA |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | ХАИ | uk_UA |
dc.subject | авиационно-космическая техника и технология | uk_UA |
dc.subject | тензорезистор | uk_UA |
dc.subject | чувствительный элемент | uk_UA |
dc.subject | изолятор-связующее | uk_UA |
dc.subject | антишунтирующий экран | uk_UA |
dc.subject | авіаційно-космічна техніка і технологія | uk_UA |
dc.subject | чутливий елемент | uk_UA |
dc.subject | ізолятор-зв'язуюче | uk_UA |
dc.subject | антишунтуючий екран | uk_UA |
dc.title | Тензорезисторы с антишунтирующим экраном | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |