Тензорезисторы с антишунтирующим экраном

Abstract

Уменьшение электроизоляционных свойств связующего тензорезистора регистрирующей аппаратурой воспринимается как кажущаяся деформация. Для уменьшения токов утечки в слое связующего между ЧЭ тензорезистора и поверхностью детали вводится экран, совпадающий по конфигурации с ЧЭ тензорезистора. Рассмотрены конструктивные особенности тензорезисторов с антишунтирующим экраном; схемы их включения в измерительные цепи; проведен анализ процесса шунтирования ЧЭ тензорезистора, с использованием аналитического метода; представлены формулы изменения сопротивления ЧЭ при его шунтировании, а также конечно-элементная модель (МКЭ) тензорезистора при различных значениях электросопротивления связующего; получены поля распределения токов утечки. Представлены результаты экспериментальной проверки явления шунтирования высокотемпературного тензорезистора и их соответствие с теоретическими исследованиями.

Зменшення електроізоляційних властивостей зв'язуючого матеріалу тензорезистора реєструючою апаратурою сприймається як уявна деформація. Для зменшення струмів витоку в шарі сполучного матеріалу між ЧЕ тензорезистора і поверхнею деталі вводиться екран, що співпадає по конфігурації з ЧЕ тензорезистора. Розглянуто конструктивні особливості тензорезисторів з антішунтуючим екраном; схеми їх включення в вимірювальні ланцюги; проведено аналіз процесу шунтування ЧЕ тензорезистора, з використанням аналітичного методу; представлені формули зміни опору ЧЕ при його шунтуванні, а також кінцево-елементна модель (МСЕ) тензорезистора при різних значеннях електроопору зв'язуючого; отримані поля розподілу струмів витоку. Представлені результати експериментальної перевірки явища шунтування високотемпературного тензорезистора та їх відповідність з теоретичними дослідженнями.