Тензорезисторы с антишунтирующим экраном
Переглянути
Дата
2013Автор
Гусев, Ю.А.
Кононыхин, Е.А.
Камбиз, Кахраи
Metadata
Показати повний опис матеріалуКороткий опис(реферат)
Уменьшение электроизоляционных свойств связующего тензорезистора регистрирующей аппаратурой воспринимается как кажущаяся деформация. Для уменьшения токов утечки в слое связующего
между ЧЭ тензорезистора и поверхностью детали вводится экран, совпадающий по конфигурации с
ЧЭ тензорезистора. Рассмотрены конструктивные особенности тензорезисторов с антишунтирующим экраном; схемы их включения в измерительные цепи; проведен анализ процесса шунтирования
ЧЭ тензорезистора, с использованием аналитического метода; представлены формулы изменения сопротивления ЧЭ при его шунтировании, а также конечно-элементная модель (МКЭ) тензорезистора
при различных значениях электросопротивления связующего; получены поля распределения токов
утечки. Представлены результаты экспериментальной проверки явления шунтирования высокотемпературного тензорезистора и их соответствие с теоретическими исследованиями. Зменшення електроізоляційних властивостей зв'язуючого матеріалу тензорезистора реєструючою апаратурою сприймається як уявна деформація. Для зменшення струмів витоку в шарі сполучного матеріалу
між ЧЕ тензорезистора і поверхнею деталі вводиться екран, що співпадає по конфігурації з ЧЕ тензорезистора. Розглянуто конструктивні особливості тензорезисторів з антішунтуючим екраном; схеми їх включення
в вимірювальні ланцюги; проведено аналіз процесу шунтування ЧЕ тензорезистора, з використанням аналітичного методу; представлені формули зміни опору ЧЕ при його шунтуванні, а також кінцево-елементна
модель (МСЕ) тензорезистора при різних значеннях електроопору зв'язуючого; отримані поля розподілу
струмів витоку. Представлені результати експериментальної перевірки явища шунтування високотемпературного тензорезистора та їх відповідність з теоретичними дослідженнями.