• українська
    • English
    • русский
    • Deutsch
Institutional Digital Repository of National Aerospace University KHAI
  • українська 
    • українська
    • English
    • русский
    • Deutsch
  • Ввійти
Перегляд матеріалів 
  •   Головна сторінка dKHAIIR
  • Факультет радіоелектроніки, комп’ютерних систем та інфокомунікацій (№ 5)
  • Наукові праці
  • Доповіді та тези доповідей
  • Перегляд матеріалів
  •   Головна сторінка dKHAIIR
  • Факультет радіоелектроніки, комп’ютерних систем та інфокомунікацій (№ 5)
  • Наукові праці
  • Доповіді та тези доповідей
  • Перегляд матеріалів
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Prospects for the use of wide-bandgap AII BVI crystals in physical value sensors for aerospace technology

Thumbnail
Переглянути
310-311.pdf (141.1Kb)
Дата
2024
Автор
Chugai, O.
Sulyma, S.
Voloshyn, Y.
Metadata
Показати повний опис матеріалу
Короткий опис(реферат)
Crystalline semiconductor sensors have been widely used to address various challenges in the measurement of physical quantities, with crystalline silicon (Si) frequently selected as the sensitive material in sensor assemblies. This choice is largely driven by the mature silicon production technologies and the extensive understanding of its physical properties. However, the relatively narrow band gap of silicon (~1 eV) results in limited thermal stability in its electrical and photoelectric properties, restricting the use of Si-based sensors in high-temperature environments, such as aerospace applications.
 
Кристалічні напівпровідникові датчики широко використовуються для вирішення різноманітних проблем у вимірюванні фізичних величин, причому кристалічний кремній (Si) часто вибирається як чутливий матеріал у сенсорних вузлах. Цей вибір значною мірою обумовлений розвиненими технологіями виробництва кремнію та глибоким розумінням його фізичних властивостей. Однак відносно вузька заборонена зона кремнію (~1 еВ) призводить до обмеженої термічної стабільності його електричних і фотоелектричних властивостей, що обмежує використання сенсорів на основі Si у високотемпературних середовищах, таких як аерокосмічні програми.
 
URI
http://dspace.library.khai.edu/xmlui/handle/123456789/8361
Collections
  • Доповіді та тези доповідей

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Контакти | Зворотній зв'язок
Theme by 
Atmire NV
 

 

Перегляд

Всі матеріалиФонди та колекціїЗа датою публікаціїАвториЗаголовкиТемиКолекціяЗа датою публікаціїАвториЗаголовкиТеми

Мій профіль

ВвійтиЗареєструватися

DSpace software copyright © 2002-2016  DuraSpace
Контакти | Зворотній зв'язок
Theme by 
Atmire NV