Механизм образования сверхтвердых наноструктурных ионно-плазменных покрытий при импульсной подаче потенциала смещения на подложку

Abstract

Предложен механизм образования сильных связей при импульсной подаче потенциала смещения на подложку при осаждении вакуумно-дугового покрытия. Описано влияние размера островка на величину электрических полей на его поверхности. Для наноструктурных покрытий напряженность электрического поля в 103-104 раз превышает величину напряженности для микроструктурных покрытий во время подачи импульса высокого отрица- тельного потенциала смещения на подложку. При этом возможно существенное изменение энергии активации процесса образования сильных связей в растущем покрытии, что дает возможность получать высокие качественные характеристики покрытия при температуре роста покрытия порядка 450 К.

Запропоновано механізм утворення сильних зв'язків при імпульсному подачі потенціалу зміщення на підкладку при осадженні вакуумно-дугового покриття. Описано вплив розміру острівця на величину електричних полів з його поверхні. Для наноструктурних покриттів напруженість електричного поля в 103-104 разів перевищує величину напруженості для мікроструктурних покриттів під час подачі імпульсу високого негативного потенціалу зміщення на підкладку. При цьому можлива істотна зміна енергії активації процесу утворення сильних зв'язків у покритті, що зростає, що дає можливість отримувати високі якісні характеристики покриття при температурі зростання покриття порядку 450 К.